FDMS3660S

onsemi

FDMS3660S

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
기본 품번FDMS3660
구성2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 15V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A, 60A
Power - Max1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지Power56

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)