FDMQ86530L

onsemi

FDMQ86530L

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

생산 중12-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
기본 품번FDMQ86530
구성4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈GreenBridge™ PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.9W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지12-MLP (5x4.5)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)