FDMJ1032C

onsemi

FDMJ1032C

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

구형6-WFDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.2A, 4.5V
기본 품번FDMJ1032
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A, 2.5A
Power - Max800mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지SC-75, MicroFET

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)