FDMC8884

onsemi

FDMC8884

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

구형8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds685 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR)
제품 상태구형
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 15A (Tc)
최대 전력 손실2.3W (Ta), 18W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-MLP (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)