FDMC2610

onsemi

FDMC2610

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 2.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 100 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈UniFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
최대 전력 손실2.1W (Ta), 42W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-MLP (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)