FDMA86265P

onsemi

FDMA86265P

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds210 pF @ 75 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
최대 전력 손실2.4W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-MicroFET (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)