FDFMA3N109

onsemi

FDFMA3N109

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

구형6-VDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tc)
최대 전력 손실1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-MicroFET (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)