FDD306P

onsemi

FDD306P

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1290 pF @ 6 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta)
최대 전력 손실52W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)