FDC6561AN

onsemi

FDC6561AN

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

생산 중SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 2.5A, 10V
기본 품번FDC6561
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Power - Max700mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지SuperSOT™-6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)