FDB0260N1007L

onsemi

FDB0260N1007L

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

생산 중TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8545 pF @ 50 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
최대 전력 손실3.8W (Ta), 250W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
공급사 디바이스 패키지TO-263-7

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)