FCMT125N65S3

onsemi

FCMT125N65S3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN

단종4-PowerTSFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1920 pF @ 400 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
시리즈SuperFET® III
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 590µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
최대 전력 손실181W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
공급사 디바이스 패키지4-PQFN (8x8)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)