FCMT080N65S3

onsemi

FCMT080N65S3

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN

단종4-PowerTSFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2765 pF @ 400 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태Not For New Designs
시리즈SuperFET® III
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 880µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
최대 전력 손실260W (Tc)

기계적 특성

Package / Case4-PowerTSFN
공급사 디바이스 패키지4-TDFN (8x8)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)