EFC6605R-V-TR

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

생산 중6-SMD, No Lead아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3mOhm @ 3A, 4.5V
기본 품번	EFC6605
구성	2 N-Channel
FET Feature	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.8nC @ 4.5V
제조사	onsemi
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Power - Max	1.6W (Ta)

기계적 특성

패키지	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case	6-SMD, No Lead
공급사 디바이스 패키지	6-EFCP (1.9x1.46)

환경 조건

동작 온도	150°C