EFC6601R-TR

onsemi

EFC6601R-TR

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH EFCP2718

생산 중6-XFBGA, FCBGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번EFC6601
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48nC @ 4.5V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)

전기적 특성

Power - Max2W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, FCBGA
공급사 디바이스 패키지EFCP2718-6CE-020

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)