일반
| 제조사 | onsemi |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bulk |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2mA, 40mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
기계적 특성
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | 3-SPA |