PMDPB56XN,115

NXP USA Inc

PMDPB56XN,115

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON

구형6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 3.1A, 4.5V
기본 품번PMDPB56
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 15V
제조사NXP USA Inc.
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR)
제품 상태구형
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A
Power - Max510mW

기계적 특성

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-HUSON (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)