PHB38N02LT,118

Name: PHB38N02LT,118
Brand: NXP USA Inc

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

구형TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 25A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 20 V
제조사	NXP USA Inc.
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	TrenchMOS™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44.7A (Tc)
최대 전력 손실	57.6W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)