BUK7E13-60E,127

Name: BUK7E13-60E,127
Brand: NXP USA Inc

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

생산 중TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1730 pF @ 25 V
제조사	NXP USA Inc.
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

드레인-소스 전압	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Ta)
최대 전력 손실	96W (Ta)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)