가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
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| 기본 품번 | 2N70 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| 제조사 | NXP USA Inc. |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| 드레인-소스 전압 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 830mW (Ta) |
| 패키지 | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-92-3 |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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