NTE464

NTE Electronics, Inc

NTE464

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET-P CHANNEL AMP/SW

생산 중TO-72-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs600Ohm @ 0A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5000 pF @ 10 V
제조사NTE Electronics, Inc
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10A

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
최대 전력 손실800mW (Tc)

기계적 특성

패키지Bag
Package / CaseTO-72-3
공급사 디바이스 패키지TO-72

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)