일반
| 제조사 | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 4A |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| 제조사 | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| 패키지 | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-251 |
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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