일반
| 제조사 | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bag |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| 제조사 | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bag |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 750 mW |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | 14-DIP |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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