NC1M120C12HTNG

Name: NC1M120C12HTNG
Brand: NextGen Components

아날로그 및 전원

SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 100A, 20V
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8330 pF @ 1000 V
제조사	NextGen Components
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	NC1M
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	214A (Tc)
최대 전력 손실	938W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)