일반
| 기본 품번 | PSMN1R0 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127 nC @ 10 V |
| 제조사 | Nexperia USA Inc. |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 40 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 164W |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
| 공급사 디바이스 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C(TJ) |
|---|