PMPB08R4VPX

Nexperia USA Inc

PMPB08R4VPX

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6

생산 중6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 12A, 4.5V
기본 품번PMPB08
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 6 V
제조사Nexperia USA Inc.
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
최대 전력 손실1.9W (Ta), 12.5W (Tc)

기계적 특성

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지DFN2020MD-6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)