PMDPB85UPE,115

Nexperia USA Inc

PMDPB85UPE,115

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON

생산 중6-UFDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs103mOhm @ 1.3A, 4.5V
기본 품번PMDPB85
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds514pF @ 10V
제조사Nexperia USA Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max515mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-HUSON (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)