GAN3R2-100CBEAZ

Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc

아날로그 및 전원

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

생산 중8-XFBGA, WLCSP아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 25A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 50 V
제조사	Nexperia USA Inc.
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A
최대 전력 손실	394W

동작 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)