GAN190-650FBEZ

Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc

아날로그 및 전원

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 3.9A, 6V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	96 pF @ 400 V
제조사	Nexperia USA Inc.
실장 방식	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+7V, -1.4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 12.2mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Ta)
최대 전력 손실	125W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)