일반
| 기본 품번 | 2N6250 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 275 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
| Power - Max | 6 W |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-254AA |
환경 조건
| Grade | Military |
|---|---|
| 동작 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/510 |