일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
|---|---|
| 구성 | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
|---|---|
| 구성 | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Power - Max | 1.4W |
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급사 디바이스 패키지 | MO-036AB |
| Grade | Military |
|---|---|
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/597 |