JAN2N7334

Microsemi Corporation

JAN2N7334

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

생산 중14-DIP (0.300", 7.62mm)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 10V
구성4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
제조사Microsemi Corporation
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Power - Max1.4W

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급사 디바이스 패키지MO-036AB

환경 조건

GradeMilitary
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationMIL-PRF-19500/597