일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |