일반
| 구성 | Half Bridge |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.8 nF @ 25 V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Product Status | Obsolete |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Power - Max | 156 W |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SP1 |
| 공급사 디바이스 패키지 | SP1 |
환경 조건
| 동작 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
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