일반
| 구성 | Asymmetrical Bridge |
|---|---|
| IGBT Type | NPT |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8.6 nF @ 25 V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| 포장 | Bulk |
| 제품 상태 | 구형 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 180A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 220 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300 µA |
| Power - Max | 833 W |
기계적 특성
| Package / Case | SP6 |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | SP6 |