APTC90DAM60T1G

Microsemi Corporation

APTC90DAM60T1G

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

구형SP1아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 100 V
제조사Microsemi Corporation
실장 방식Chassis Mount
Product StatusObsolete
시리즈CoolMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA

전기적 특성

드레인-소스 전압900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc)
최대 전력 손실462W (Tc)

기계적 특성

패키지Tray
Package / CaseSP1
공급사 디바이스 패키지SP1

환경 조건

동작 온도-40°C~150°C(TJ)