가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 32.5A, 20V |
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| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 20 V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 드레인-소스 전압 | 700 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 220W (Tc) |
| 패키지 | Bulk |
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| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급사 디바이스 패키지 | D3Pak |
| 동작 온도 | -55°C~175°C(TJ) |
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