일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
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| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
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| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 175W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | D-3 Module |
| 공급사 디바이스 패키지 | D3 |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C~175°C(TJ) |
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