MT54V512H18EF-10

Micron Technology Inc

MT54V512H18EF-10

메모리 및 스토리지

IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA

생산 중165-TBGA메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SRAM - Quad Port, Synchronous
기본 품번MT54V512
제조사Micron Technology Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈QDR™

전기적 특성

메모리 용량9Mbit
메모리 형식SRAM
Memory InterfaceParallel
클록 주파수100 MHz
공급 전압2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case165-TBGA
공급사 디바이스 패키지165-FBGA (13x15)

환경 조건

동작 온도0°C~70°C(TA)