MT47R512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc

MT47R512M4EB-25E:C

메모리 및 스토리지

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

단종60-TFBGA메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SDRAM - DDR2
접근 시간400 ps
기본 품번MT47R512M4
제조사Micron Technology Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
쓰기 사이클 시간15ns

전기적 특성

메모리 용량2Gbit
메모리 형식DRAM
Memory InterfaceParallel
클록 주파수400 MHz
공급 전압1.55V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

기계적 특성

패키지Tray
Package / Case60-TFBGA
공급사 디바이스 패키지60-FBGA (9x11.5)

환경 조건

동작 온도0°C~85°C(TC)