VP2206N2

Microchip Technology

VP2206N2

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

생산 중TO-205AD, TO-39-3 Metal Can아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 3.5A, 10V
기본 품번VP2206
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
제조사Microchip Technology
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C750mA (Tj)
최대 전력 손실360mW (Tc)

기계적 특성

패키지Bag
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급사 디바이스 패키지TO-39

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)