MSC080SMA330B4

Microchip Technology

MSC080SMA330B4

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 30A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3462 pF @ 2400 V
제조사Microchip Technology
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.97V @ 3mA

전기적 특성

드레인-소스 전압3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
최대 전력 손실381W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-247-4
공급사 디바이스 패키지TO-247-4

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)