일반
| 기본 품번 | 2N930 |
|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology |
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Bulk |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
기계적 특성
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-18 |
환경 조건
| Grade | Military |
|---|---|
| 동작 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/253 |