JANTX1N5809US

Microchip Technology

JANTX1N5809US

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

생산 중SQ-MELF, B아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번1N5809
Capacitance @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
제조사Microchip Technology
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseSQ-MELF, B
공급사 디바이스 패키지B, SQ-MELF

환경 조건

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/477