일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 7.8A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 12 V |
| 제조사 | Microchip Technology |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 7.8A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 12 V |
| 제조사 | Microchip Technology |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| 드레인-소스 전압 | 250 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 75W (Tc) |
| 패키지 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| 공급사 디바이스 패키지 | U3 (SMD-0.5) |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|