APTM100H45SCTG

Microchip Technology

APTM100H45SCTG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

생산 중SP4아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 9A, 10V
기본 품번APTM100
구성4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
제조사Microchip Technology
실장 방식Chassis Mount
포장Bulk
제품 상태생산 중
시리즈POWER MOS 7®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A
Power - Max357W

기계적 특성

Package / CaseSP4
공급사 디바이스 패키지SP4

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)