APT34N80B2C3G

Microchip Technology

APT34N80B2C3G

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

생산 중TO-247-3 Variant아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4510 pF @ 25 V
제조사Microchip Technology
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA

전기적 특성

드레인-소스 전압800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
최대 전력 손실417W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
공급사 디바이스 패키지T-MAX™ [B2]

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)