APT22F80B

Microchip Technology

APT22F80B

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 23A TO247

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4595 pF @ 25 V
제조사Microchip Technology
실장 방식Through Hole
포장Tube
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
최대 전력 손실625W (Tc)

기계적 특성

Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247 [B]

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)