SICW1000N170A-BP

Micro Commercial Co

SICW1000N170A-BP

아날로그 및 전원

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.32Ohm @ 1.5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds124 pF @ 1000 V
제조사Micro Commercial Co
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
최대 전력 손실69W

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247AB

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)