일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
|---|---|
| 기본 품번 | VWM200 |
| 구성 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| 제조사 | IXYS |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210A |
기계적 특성
| 패키지 | Box |
|---|---|
| Package / Case | V2-PAK |
| 공급사 디바이스 패키지 | V2-PAK |
환경 조건
| 동작 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
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