VMO580-02F

IXYS

VMO580-02F

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI

구형Y3-Li아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 430A, 10V
기본 품번VMO580
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2750 nC @ 10 V
제조사IXYS
실장 방식Chassis Mount
Product StatusObsolete
시리즈HiPerFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50mA

전기적 특성

드레인-소스 전압200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580A (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseY3-Li
공급사 디바이스 패키지Y3-Li

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)