MCB60I1200TZ

Name: MCB60I1200TZ
Brand: IXYS

아날로그 및 전원

1200V 90A SIC POWER MOSFET

구형TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 50A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2790 pF @ 1000 V
제조사	IXYS
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 15mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

동작 온도	-40°C ~ 175°C (TJ)